Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE

Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 配置使用美國 KRI Φ8cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性: ±5%, 刻蝕速率: 20 nm/min, 樣品臺: 直接冷卻(水冷), 0~90度旋轉.
 

Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 主要優點

1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.

2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.

3. 配置使用美國 KRI 考夫曼離子源

4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.

5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.

6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.

7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
 

Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規格:

本公司專業生產 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機，歡迎選購！