Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C

蝕刻均勻性: ±5%, 刻蝕速率: 20 nm/min, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉.
 

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 主要優點:

1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.

2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.

3. 配置使用美國 KRI 考夫曼離子源

4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.

5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.

6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.

7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
 

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 技術參數:

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 組成:

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:

本公司專業生產 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機，歡迎選購！